光和激光

从可见的蓝光到不可见的紫外线, 阿斯麦的光刻机在光和激光领域不断创新

什么是光的波长? 就像海里的波浪一样,光的传播有一系列的波峰和波谷. 波峰之间的距离称为波长. 光的波长越短, 微芯片的特征越小,就能在光刻工艺中打印出来.

在ASML的历史, bet365手机版支持芯片制造商向新的光刻波长过渡,使更先进的微芯片成为可能. 每向前迈进一步都需要在光的产生方式上进行创新, 从可见蓝光到ASML独有的极紫外(EUV)技术.

汞灯:从蓝色到紫外线

阿斯麦公司成立时,最先进的光刻光源是水银灯. 通过将电流通过一个含有汞的灯泡来产生光. 电流加热水银,直到它变成等离子体,发出不同波长的光. 用干涉滤波器选择所需的波长.


bet365手机版的第一个光刻系统使用这种设置来产生波长为436纳米的蓝光。, 被称为水银g线. 他们可以打印出小至1微米(1000纳米)的特征. 要启用更小的特性, bet365手机版很快就改用波长为365纳米的不可见紫外线. 这些后来的i-line系统将特征尺寸推进到1微米以下,最终达到220纳米.

以可见光为焦点的光谱图.

激光和DUV

在1980年代中期, 行业对更小特征的需求又导致了向更短波长的转变. 这一次,需要一种全新的制造光的方法:激光. 特别是深紫外(DUV)准分子激光器. 这些激光器使用的是通常不会混合的气体混合物. 然而, 当有足够的能量时, 两种气体的原子结合在一起形成激发态临时分子(准分子)。. 被激发的分子以光的形式释放出多余的能量,其波长取决于所使用的气体.


克拉夫:DUV黎明

第一个DUV系统使用了基于两种元素组合的准分子激光器:氪和氟. 这些氪氟激光器产生的光波长为248纳米(nm)。. 150纳米KrF系统的特征尺寸比之前的i-line系统的280纳米缩小了. 现代KrF系统现在可以产生低至80纳米的特征.


与ArF深入合作

再深入到紫外线光谱, 下一代DUV光刻系统使用氟化氩(ArF)准分子激光器,产生波长为193纳米的光. 这使得特征尺寸达到了38纳米.

创建EUV光

EUV光刻这种技术完全是ASML独有的,它使用波长为13的光.5纳米. 这个波长比DUV光短14倍多. 

EUV光自然发生在外层空间. 但要使极紫外光刻成为可能, bet365手机版需要设计一种在系统中创造这种光的方法. 因此,bet365手机版开发了一种全新的方法来产生光刻用的光.


bet365手机版的激光等离子体(LPP)源, 直径约25微米的熔锡液滴以每秒70米的速度从发电机喷射出来. 秋天时, 液滴首先受到低强度激光脉冲的冲击,将其压扁成煎饼形状. 然后,一个更强大的激光脉冲使扁平的液滴蒸发,产生等离子体,发射EUV光. 产生足够的光来制造微芯片, 重复这个过程,每秒000次.

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