瑞利判据

决定芯片上的特征能打印出多小的分辨率方程

CD = k1 •λ / na

瑞利判据方程

在瑞利准则方程中, CD临界尺寸,或尽可能小的特征大小,和 λ波长 光的使用. 


NA数值孔径 光学,决定了它们能收集多少光.


最后, k1 (或 k1 因素)是一个取决于与芯片制造过程相关的许多因素的系数. 物理极限光刻是k1 = 0.25.

 

采用更小的光波长和更大的数值孔径(NA)相结合,可以达到更小的临界尺寸。, 而推动k1 尽可能接近物理极限.


“小”的极限

R的大部分&半导体行业的D技术专注于降低临界尺寸. 阿斯麦的光刻机具有极高的分辨率, 帮助芯片制造商进一步降低这一关键维度.


更先进的微芯片意味着更小的功能, 哪些需要波长更短的光, 更强大的镜头和/或更低的k1 因素. 减少光的波长是一项重大的技术转变,这需要新的光刻设备和新的光源——以及新的(光学和抗蚀剂)材料和新的工艺. 但它也带来了芯片性能的最大进步.


在这些波长的步骤之间,行业的进步是由透镜的发展和驱动 减少k1 通过巧妙地调整光刻工艺和技术等 计算光刻.

光刻技术原则

芯片背后的科学

更多关于ASML技术的信息